Veranstaltung: Plasmatechnik in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik

Nummer:
141364
Lehrform:
Vorlesung und Übungen
Medienform:
rechnerbasierte Präsentation
Verantwortlicher:
Prof. Dr. Ralf Peter Brinkmann
Dozent:
Dr. Michael Klick (extern)
Sprache:
Deutsch
SWS:
3
LP:
4
Angeboten im:
Sommersemester

Termine im Sommersemester

  • Vorbesprechung: Donnerstag den 20.04.2017 ab 16:15 im ID 1/136

Prüfung

Mündlich

Termin nach Absprache mit dem Dozenten.

Dauer: 30min
Prüfungsanmeldung: Direkt bei der Dozentin bzw. dem Dozenten

Ziele

Die Studierenden haben die theoretischen und die praktischen Aspekte der Anwendung der Plasmatechnik in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik kennen gelernt.

Inhalt

  1. General Introduction
  • Semiconductor Market
  • The top Plasma Equipment Suppliers
  • Analysis and Control of Manufacturing Costs
  • Demands and Conclusions for future Plasma Equipment
  1. Plasma physics fundamentals
  • Plasma - The fourth state of matter
  • Plasma and external magnetic field
  • Short characterization of non­thermal plasma
  • The mechanisms in the DC discharge
  • RF discharge
  • CCP ­ Capacitively Coupled Plasma
  • Inductively Coupled Plasma
  • Remote and pulsed plasmas
  • RF power in the plasma
  • Plasma process control in the Fab
  • Methods of plasma diagnostics
  1. Plasma Etch Tools
  • The plasma process Overview - Reactor types, Classical parallel plate reactor
  • Capacitively Coupled Plasma reactor type (RIE)
  • Typical parameters of RIE, Control of bulk and sheath by dissipated power
  • Basic etching in MERIE reactor type
  • Approach to Dual Frequency Reactors
  • Approach to and principle of ICP / TCP®
  • Comparison of chamber type; Process requirements and equipment, Common materials and corresponding etching gas
  • Etch chemistry
  • Sputtering
  1. Principle of thin film deposition, PVD & CVD: Sputter deposition
  • The plasma enhanced deposition
  • Nitridation
  1. Process
  • Basic mechanisms: Plasma processes
  • The complexity of plasma processing
  • Mechanism of plasma processes
  • Limitations of plasma processes
  • Gas heating
  • PECVD: Surface and bulk (volume) reactions
  • Conditioning
  • Chamber Design
  • Arcing and particles
  • Cost control by quality and process management

Voraussetzungen

keine

Empfohlene Vorkenntnisse

Notwendig: Grundlagen der E-Technik, Elektrische und magnetische Felder

Hilfreich ist der Besuch folgender Vorlesungen: Plasmatechnik und Felder, Wellen, Teilchen

Sonstiges

Die Veranstaltung findet als Blockveranstaltung vom 17. bis zum 21. Oktober 2016 statt.